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鉴别高速生长的化学气相沉积金刚石单晶的方法专利

发布时间:2026-06-21

【摘要】 本发明的鉴别高速生长的化学气相沉积金刚石单晶的方法属金刚石材料技术领域。通过以甲烷、氢气、氮气为反应气体获得的CVD金刚石单晶的生长表面及沿生长方向侧面不同位置的光致荧光光谱的测试,光谱强度规律变化的金刚石单晶是掺氮高速化学气相沉积金刚石单晶。进而根据和氮含量相关的光致荧光峰的强度的规律变化,区分CVD金刚石单晶和其他金刚石单晶。本发明的方法简单、适用、快速;不对所生长的CVD单晶金刚石造成破坏。 【专利类型】发明授权 【申请人】吉林大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】130012 吉林省长春市前进大街2699号 【申请人地区】中国 【申请人城市】长春市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810050651.6 【申请日】2008-04-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101311339B 【公开公告日】2010-12-15 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101311339B 【授权公告日】2010-12-15 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C30B29/04; C30B25/00 【发明人】李红东; 邹广田; 王启亮; 吕宪义 【主权项内容】一种鉴别高速生长的化学气相沉积金刚石单晶的方法,其特征是,通过检测金刚石单晶的光致发光光谱进行的;测试点的选择是在所生长的金刚石单晶的生长面或/和侧面选择3~100个点;生长面或/和侧面各个点的光致荧光光谱的强度有规律变化的金刚石单晶是掺氮高速化学气相沉积金刚石单晶;所述的光致荧光光谱强度规律变化,就是在生长面中心处的氮含量高于接近边缘及顶角的氮含量,和氮相关的光致荧光峰的强度增加;从侧面沿生长面到籽晶方向,氮含量逐渐增加而后氮含量变化变小,和氮相关的光致荧光峰的强度增加而后光致荧光峰的强度变化变小;所述的测试点的选择是,沿直线段顺序选择检测点,即,在金刚石单晶的生长面自中心至边或角的直线段上顺序排列选择检测点;或/和在金刚石单晶的侧面沿着单晶生长方向顺序排列选择检测点。 【当前权利人】吉林大学 【当前专利权人地址】吉林省长春市前进大街2699号 【统一社会信用代码】121000004232040648 【引证次数】6.0 【被引证次数】2 【自引次数】2.0 【他引次数】4.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】9

  • 【摘要】本发明提供一种传输栅电路,其包含第一PMOS组件、第一NMOS组 件、第二PMOS组件、第二NMOS组件以及第三PMOS组件。第一PMOS 组件的栅极耦接于第一控制信号,第一PMOS组件的第一极以及第二极分别 耦接于输入端以及输出端
  • 【摘要】省略左视图。【专利类型】外观设计【申请人】吉林市航盛宏宇电子有限公司【申请人类型】企业【申请人地址】132013吉林省吉林市高新区深圳街100号【申请人地区】中国【申请人城市】吉林市【申请人区县】丰满区【申请号】CN20083008
  • 【摘要】本发明公开一种伤口消炎镇痛的外用贴,由蓖麻子、血余、生没药、生乳香、血竭、冰片、黄柏、儿茶、大黄、章丹药物制成;制备方法:将蓖麻子、血余、生没药、生乳香、黄柏装入瓷罐或瓷盆内,在芝麻油内浸泡160~180小时,将上述药物倒入铁锅,文
  • 【摘要】本发明涉及一种制作薄膜晶体管沟道区以及源、漏电极的新方法,属于微电子技术领域。包括涂胶、前烘、曝光、显影、镜检、后烘、腐蚀、用蒸镀、溅射或电子束蒸发等方法沉积电极,实现了沟道长度为L,沟道宽度为W的薄膜晶体管沟道区,两侧的沉积形成了
  • 【摘要】本发明涉及一种发泡隔音型丙烯酸树脂车底保护塑溶胶及其制备方法。一种发泡隔音型丙烯酸树脂车底保护塑溶胶,其各组分及重量百分比含量如下:挥发性溶剂4-8%, 增塑剂20-40%, 丙烯酸聚合物20-35%, 聚氨酯树脂5-20%, 发泡
  • 【摘要】一种将汽车驾驶室底胶、中涂、套色一体化实施的工艺方法。该方法包括下述步骤:(1)采用涂胶设备进行驾驶室焊缝胶、车底涂料喷涂;(2)将喷涂焊缝胶、车底涂料驾驶室转入中涂喷漆室进行中涂喷涂;(3)按要求进行套色部位进行喷涂;(4)将经过