【摘要】 本发明涉及一种制作薄膜晶体管沟道区以及源、漏电极的新方法，属于微电子技术领域。包括涂胶、前烘、曝光、显影、镜检、后烘、腐蚀、用蒸镀、溅射或电子束蒸发等方法沉积电极，实现了沟道长度为L，沟道宽度为W的薄膜晶体管沟道区，两侧的沉积形成了源、漏电极，从而，完成了薄膜晶体管单一器件沟道层区域，源、漏电极的制作。本发明省去了传统工艺过程中二次光刻工艺，不仅十分便捷地实现了传统工艺中薄膜晶体管单一器件沟道层区域，源、漏电极的制作，简化了器件的制作工艺过程。 微信 【专利类型】发明授权 【申请人】吉林建筑工程学院 【申请人类型】学校 【申请人地址】130021 吉林省长春市红旗街1129号 【申请人地区】中国 【申请人城市】长春市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810051657.5 【申请日】2008-12-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101431025B 【公开公告日】2010-12-15 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101431025B 【授权公告日】2010-12-15 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/336 【发明人】杨小天; 王超; 任伟; 赵春雷; 唐巍; 郝志文; 陈伟利; 杜国同; 卢毅成; 荆海; 曹健林; 付国柱 【主权项内容】一种制作薄膜晶体管沟道区以及源、漏电极的新方法，包括下列步骤：一、涂胶：把已生长好沟道层材料的片子置于匀胶机的转盘上，旋转涂胶，每分钟2500‑3000转，使光刻胶均匀涂覆在沟道层的表面；二、前烘：烘烤温度88～92℃、时间10～20min；三、曝光：在涂好光刻胶的沟道层表面覆盖掩膜版，曝光；正胶的曝光部分发生光化学反应；负胶的曝光部分发生交联反应；四、显影：正胶的曝光部分在显影液中溶解，被去除，负胶的未曝光部分在显影液中溶解，被去除；正胶显影后的图形和掩模版相同，负胶显影后的图形和掩模版相反；五、镜检：胶膜图形应线条齐、陡，套刻或晶向准确，无变形、钻蚀、针孔及损伤，若有以上缺陷，返工；六、后烘：又称坚膜，后烘温度130～150℃，时间18～25min；七、腐蚀：将沟道层未被光刻胶保护的部分腐蚀去掉；八、用丙酮将未曝光的光刻胶溶解掉；九、用双面胶将经光刻、腐蚀后的片子粘到载玻片上，轻微放置，以便于后续调整；根据拟制备薄膜晶体管沟道长度L选用相同线径L的钨丝，放置于刻蚀好的沟道层薄膜表面，两端用胶带轻微固定在载玻片上；在显微镜下调整，使宽度W的图形与钨丝垂直，调整后，将片子、胶带压实，固定在载玻片，再取钨丝放置于沟道层被刻蚀掉图形的正上方，两端固定；十、用蒸镀、溅射或电子束蒸发等方法沉积电极，线径为L钨丝的掩模实现了沟道长度为L，沟道宽度为W的薄膜晶体管沟道区，钨丝两侧的沉积，形成了源、漏电极，从而，完成了薄膜晶体管单一器件沟道层区域，源、漏电极的制作。 【当前权利人】吉林建筑工程学院 【当前专利权人地址】吉林省长春市红旗街1129号 【家族被引证次数】5
