【摘要】 本发明提供一种传输栅电路，其包含第一PMOS组件、第一NMOS组 件、第二PMOS组件、第二NMOS组件以及第三PMOS组件。第一PMOS 组件的栅极耦接于第一控制信号，第一PMOS组件的第一极以及第二极分别 耦接于输入端以及输出端。第一NMOS组件的栅极耦接于第二控制信号，第 一NMOS组件的第一极以及第二极分别耦接于输入端以及输出端。第二 PMOS组件的栅极耦接于第一控制信号，第二PMOS组件的第一极以及第二 极分别耦接于输入端以及第一PMOS组件的体电极。第二NMOS组件的栅 极耦接于第二控制信号，第二NMOS组件的第一极以及第二极分别耦接于第 一PMOS组件的体电极以及输出端。第三PMOS组件的栅极耦接于输入端， 第三PMOS组件的第一极以及第二极分别耦接于第一电源电压以及第一 PMOS组件的体电极。。 【专利类型】发明申请 【申请人】创惟科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省台北县新店市北新路三段205号12楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810146192.1 【申请日】2008-08-08 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101645705A 【公开公告日】2010-02-10 【公开公告年份】2010 【发明人】余清榕 【主权项内容】1.一种基于附体效应补偿的传输栅电路，其包含： 一第一PMOS组件，所述第一PMOS组件的栅极耦接于第一控制信号， 所述第一PMOS组件的第一极以及第二极分别耦接于输入端以及输出 端； 一第一NMOS组件，所述第一NMOS组件的栅极耦接于第二控制信号， 所述第一NMOS组件的第一极以及第二极分别耦接于所述输入端以及 所述输出端； 其特征在于：所述的传输栅电路包含： 一第二PMOS组件，所述第二PMOS组件的栅极耦接于所述第一控制信 号，所述第二PMOS组件的第一极以及第二极分别耦接于所述输入端 以及所述第一PMOS组件的体电极； 一第二NMOS组件，所述第二NMOS组件的栅极耦接于所述第二控制信 号，所述第二NMOS组件的第一极以及第二极分别耦接于所述第一 PMOS组件的体电极以及所述输出端； 一第三PMOS组件，所述第三PMOS组件的栅极耦接于所述第二控制信 号，所述第三PMOS组件的第一极以及第二极分别耦接于第一电源电 压以及所述第一PMOS组件的体电极。 【当前权利人】创惟科技股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省台北县新店市北新路三段205号12楼
