【摘要】 一种表面粗化的氮化镓系发光元件及其制造方法，其可包括衬底、缓冲层、 n型三族氮化物半导体材料层、三族氮化物半导体发光层、第一p型三族氮化 物半导体材料层、p型重掺杂三族氮化物半导体材料层、以及第二p型三族氮 化物半导体粗化层。上述第一p型三族氮化物半导体材料层，成长于上述三族 氮化物半导体发光层上。上述p型重掺杂三族氮化物半导体材料层，成长于上 述第一p型三族氮化物半导体材料层上。上述第二p型三族氮化物半导体粗化 层，成长于上述p型重掺杂三族氮化物半导体材料层上。本发明提供的发光元 件不仅具有表面粗化的特性，可以确保亮度。 【专利类型】发明申请 【申请人】先进开发光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810134896.7 【申请日】2008-08-06 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101645476A 【公开公告日】2010-02-10 【公开公告年份】2010 【发明人】黄世晟; 涂博闵; 叶颖超; 林文禹; 吴芃逸; 徐智鹏; 詹世雄 【主权项内容】1.一种表面粗化的氮化镓系发光元件，包括： 衬底； 缓冲层，成长于该衬底上； 第一导电类型三族氮化物半导体材料层，成长于该缓冲层上； 三族氮化物半导体发光层，成长于该第一导电类型三族氮化物半导体材 料层上； 第一第二导电类型三族氮化物半导体材料层，成长于该三族氮化物半导 体发光层上； 重掺杂第二导电类型三族氮化物半导体材料层，成长于该第一第二导电 类型三族氮化物半导体材料层上；以及 第二第二导电类型三族氮化物半导体粗化层，成长于该重掺杂第二导电 类型三族氮化物半导体材料层上。。 【当前权利人】展晶科技(深圳)有限公司; 荣创能源科技股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号; 中国台湾新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
