【摘要】 本发明以一种能令芯片架设在优选高度位置的金属支架构造作为基础，而运用于薄型发光二极管及其线架，以使薄型发光二极管能呈现出所需的光照角度；该金属支架，具有一芯片承载部、复数个与芯片承载部周缘保持隔绝间距的导电端子，该芯片承载部厚度大于导电端子，且其底部具有冲压而成的穴槽、顶部具有一在穴槽成型时向上推挤而出以供芯片架设的上凸部，据此以通过冲压穴槽的技术，来简化制造工序、降低产业成本，并且还能以控制穴槽冲压深度的手段来改变上凸部的凸伸高度，以控制芯片的架设高度，除此之外，芯片承载部与芯片之间电热分离，其底面的导热效果也因穴槽的形成而有所提升。 【专利类型】发明授权 【申请人】陈永华 【申请人类型】个人 【申请人地址】中国台湾台北县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810126525.4 【申请日】2008-06-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101615644B 【公开公告日】2010-11-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101615644B 【授权公告日】2010-11-10 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L33/00; H01L21/48; H01L21/50 【发明人】陈永华 【主权项内容】一种薄型发光二极管的制造方法，其特征在于，其包含下列步骤：金属钣片生成步骤：预制一片状的金属钣片，在所述金属钣片的底面形成至少两个平行排列的凸块；冲压金属支架步骤：以冲压手段在所述金属钣片上冲出多个整齐排列的金属支架，每一金属支架具有一芯片承载部、复数个与所述芯片承载部周缘保持隔绝间距的导电端子；所述的芯片承载部位于所述凸块上，其厚度大于导电端子的厚度，且其底部具有冲压而成的穴槽，其顶部具有一在所述穴槽成型时向上推挤而出以供架设芯片的上凸部；线架成型步骤：以射出成型方式在每一金属支架上设置一碗状基座，并在所述芯片承载部和所述导电端子的顶面形成一碗状容置空间，使得所述芯片承载部的底面与所述穴槽裸露于所述碗状基座的底面；固晶步骤：将所述芯片设置在所述芯片承载部的上凸部上；打线步骤：将导线连接在所述芯片与所述导电端子之间；封装步骤：在所述碗状容置空间中注入封装体，以将所述芯片和所述导线封装，在所述金属钣片上形成多个整齐排列的薄型发光二极管；切断步骤：将每一薄型发光二极管自所述金属钣片上切断分离。。 【当前权利人】陈永华 【当前专利权人地址】中国台湾台北县 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】1
