【摘要】 本发明揭示一种图像感测装置。图像感测装置包括：基板及设置于基板上的光电二极管。基板具有像素区以及至少一个集成电路位于像素区的基板内。光电二极管包括：下电极、光电转换层、以及透明上电极。下电极设置于基板上，且电连接至集成电路。光电转换层设置于下电极上方，且其内部具有次微米结构。透明上电极设置于光电转换层上方。本发明能够增加光耦合效率，并且降低暗电流。 【专利类型】发明授权 【申请人】采钰科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810125661.1 【申请日】2008-06-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101521214B 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101521214B 【授权公告日】2010-06-16 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/146; H01L31/0352 【发明人】李孝文 【主权项内容】一种图像感测装置，包括：基板，具有像素区以及至少一个集成电路，所述至少一个集成电路位于该像素区的该基板内；以及光电二极管，设置于该像素区的该基板的上方，包括：下电极，设置于该基板上，其中该下电极电连接至该集成电路；光电转换层，设置于该下电极的上方，其中该光电转换层包括至少一个子层且该子层的上表面具有多个次微米凹口；以及透明上电极，设置于该光电转换层的上方。。 【当前权利人】采钰科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【引证次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】9.0 【家族被引证次数】23
