【摘要】 本发明公开了一种应用于半导体制造离子注入工艺中所应用的离子注入机磁四极透镜管道，它包括一个密封管道、一个抽气管道、一个连接法兰。这三件零件焊接成为一个整体或整体铸造成型。本发明通过管道外形的优化设计，提高了管道容积，增大了真空系统的抽气流导，缩短了注入机真空系统建立的时间，提高了生产效率，且安装及维修性能好。 该数据由<>整理 【专利类型】发明申请 【申请人】北京中科信电子装备有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】101111 北京市中关村科技园通州园光机电一体化产业基地兴光二街6号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】通州区 【申请号】CN200810238900.4 【申请日】2008-12-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101764031A 【公开公告日】2010-06-30 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01J37/317; H01J37/02; H01L21/265 【发明人】田小海; 伍三忠; 郭健辉 【主权项内容】本磁四极透镜管道由密封管道1、抽气管道2、连接法兰3三部分组成，其抽气管道部分的外形为与极头相切的曲面。管道的制造可有两种方法：焊接连接，三件零件的材料采用不锈钢；整体铸造，然后内外表面抛光，材料选取铝。 【当前权利人】北京中科信电子装备有限公司 【当前专利权人地址】北京市中关村科技园通州园光机电一体化产业基地兴光二街6号 【专利权人类型】有限责任公司(法人独资) 【统一社会信用代码】911101127513429762 【被引证次数】3 【被他引次数】3.0 【家族被引证次数】3
