【摘要】 一种用于产生高磁场高均匀度的超导磁体系统，由主线圈、外围线圈、失超保护电路、失超加热器和电源组成。主线圈由多个同心螺管线圈按径向从内到外分层依次安装而成。主线圈外层的外围线圈沿径向从内至外依次为反绕线圈一(13)、反绕线圈二(14)、补偿六次谐波分量的超导线圈一(15)、补偿六次谐波分量的超导线圈二(16)、屏蔽环(17)和屏蔽线圈(18)。失超保护电路的每个回路由对应的保护电阻和二极管与每个线圈串联形成，每个线圈对应安装一个失超加热器。本发明主线圈中相互接触的超导线圈的导线分级线径之差小于0.05mm。本发明使用反绕方法补偿磁场的高次谐波分量，使得在50mm直径的工作空间内达到0.15ppm的均匀度。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院电工研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100080 北京市海淀区中关村北二条6号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810239180.3 【申请日】2008-12-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101552077B 【公开公告日】2010-10-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101552077B 【授权公告日】2010-10-27 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01F6/00; G01R33/38; G01R33/42; H02H5/00 【发明人】王秋良; 胡新宁 【主权项内容】一种用于产生高磁场高均匀度的超导磁体系统，其特征在于，所述超导磁体系统由主线圈、外围线圈、失超保护电路、失超加热器和电源组成；主线圈由多个同心螺管线圈按径向从内到外分层依次安装而成，从内到外分层依次是内主线圈(1)、稳定内主线圈磁场的线圈(2)、稳定内主线圈磁场的线圈的补偿线圈一(3)和稳定内主线圈磁场的线圈的补偿线圈二(4)分别布置在稳定内主线圈磁场的线圈(2)外层的上部和下部、再向外依次布置电流密度分级的磁场线圈一(5)、电流密度分级的磁场线圈二(6)、电流密度分级的磁场线圈三(7)、电流密度分级的磁场线圈四(8)、外加强磁场线圈一(9)和外加强磁场线圈二(10)；端部外补偿线圈一(11)和端部外补偿线圈二(12)与外加强磁场线圈二(10)同轴，分别布置在外加强磁场线圈二(10)外层的上部和下部；主线圈的外层为外围线圈，外围线圈包括消除磁场高次谐波分量的线圈一(13)、消除磁场高次谐波分量的线圈二(14)、补偿六次谐波分量的超导线圈一(15)、补偿六次谐波分量的超导线圈二(16)、屏蔽环(17)和屏蔽线圈(18)；消除磁场高次谐波分量的线圈一(13)和消除磁场高次谐波分量的线圈二(14)与外加强磁场线圈二(10)同轴，布置在端部外补偿线圈一(11)和端部外补偿线圈二(12)之间；补偿六次谐波分量的超导线圈一(15)和补偿六次谐波分量的超导线圈二(16)与外加强磁场线圈二(10)同轴，布置在消除磁场高次谐波分量的线圈一(13)和消除磁场高次谐波分量的线圈二(14)之间；屏蔽环(17)位于消除磁场高次谐波分量的线圈一(13)、消除磁场高次谐波分量的线圈二(14)、补偿六次谐波分量的超导线圈一(15)、补偿六次谐波分量的超导线圈二(16)的外层；屏蔽线圈(18)布置在屏蔽环(17)的外层；失超保护电路包括多个回路，每个回路由对应的保护电阻、失超保护二极管与回路中的线圈串联形成，所述的失超保护二极管由两个二极管反并联构成；除包含稳定内主线圈磁场的线圈(2)、稳定内主线圈磁场的线圈的补偿线圈一(3)、稳定内主线圈磁场的线圈的补偿线圈二(4)的回路和包含屏蔽环(17)的回路没有失超加热器外，包含内主线圈(1)和屏蔽线圈(18)的回路有两个失超加热器，其余每个回路对应有一个失超加热器。 【当前权利人】中国科学院电工研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区中关村北二条6号 【统一社会信用代码】121000004000124147 【家族引证次数】11.0 【家族被引证次数】66
