【摘要】 本发明公开了一种发光二极管及发光二极管亮度控制方法，此控制方法包 括：首先，预先设定发光二极管的发光效能预设标准值；接着，测量待测发光 二极管的发光效能；之后，计算待测发光二极管的发光效能与预设标准值的差 异值；最后，根据此差异值设定吸光层的结构，并将吸光层设置于待测发光二 极管的出光面外的发光路径中。发光二极管利用吸光材料形成吸光层，并设置 于其发光路径中，在不影响大部分光线进行路径的状况下吸收少量光线，并通 过测量每个发光二极管的发光效能后，设定对应的吸光层结构，因此，可使每 个发光二极管具有一致且足够的发光效能。 【专利类型】发明申请 【申请人】光燿科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾彰化县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810135681.7 【申请日】2008-07-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101626051A 【公开公告日】2010-01-13 【公开公告年份】2010 【发明人】沈伟; 李远林; 杨玉千 【主权项内容】1.一种发光二极管，包括一基板，基板上设置有一第一金属接脚、一第 二金属接脚和一封装部，第一金属接脚上设置有一发光芯片；发光芯片与第 二金属接脚之间连接有一导线；封装部包覆发光芯片与导线并形成一出光 面；发光芯片可发出光束，光束于出光面外部形成发光路径；其特征在于： 出光面外部的发光路径中设置有一由吸光材料构成的吸光层。 【当前权利人】光燿科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾彰化县 【被引证次数】3 【家族被引证次数】3
