【摘要】 本发明提供一种应用于连续性侧向长晶技术的掩膜以及激光结晶方法。掩膜包含第一透光单元以及第二透光单元。第一透光单元具有多个圆形透光区域。第二透光单元设置于第一透光单元侧边。第二透光单元具有多个多边形遮光区域。多边形遮光区域与第一透光单元的圆形透光区域一对一对应设置，且每一多边形遮光区域的对角线长度小于每一圆形透光区域的直径。方法步骤包含使用激光透过上述掩膜于基板上产生具有第二结晶单元及与第一透光单元对应的第一结晶单元、移动掩膜使第一透光单元移动至与相邻的第二结晶单元对应、以及使用激光透过掩膜于基板上产生第二结晶区域。 【专利类型】发明授权 【申请人】友达光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810005717.X 【申请日】2008-02-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101221902B 【公开公告日】2010-11-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101221902B 【授权公告日】2010-11-24 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/20; H01L21/268; H01L21/336; H01L21/77; H01L21/84; B23K26/06; G03F1/14; B23K26/066; G03F1/00 【发明人】孙铭伟 【主权项内容】一种应用于连续性侧向长晶技术的掩膜，其特征在于，所述掩膜包含：第一透光单元，具有多个圆形透光区域；以及第二透光单元，设置于所述第一透光单元侧边，所述第二透光单元具有多个多边形遮光区域，所述这些多边形遮光区域与所述第一透光单元的所述这些圆形透光区域一对一对应设置，且每一多边形遮光区域的对角线长度小于每一圆形透光区域的直径。 【当前权利人】友达光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【引证次数】5.0 【自引次数】2.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】3
