【摘要】 本发明是有关一种交流发光二极管结构。该交流发光二极管结构，包括：一基座，具有晶片座；一晶片组，设于晶片座上，具有复数发光二极管；及至少一电路板，设于基座上，发光二极管与电路板电性连接，藉电路板形成至少一交流发光二极管。另一种交流发光二极管结构，包括：一基座，具有晶片座；一晶片组，设于晶片座上，具有复数双向导通交流发光二极管，以二发光二极管为一组反向并联方式电性相连；及至少一电路板，设于基座上，双向导通交流发光二极管与电路板电性连接，藉电路板形成串联/并联电路结构。本发明使用可负载高电压高电流外导线及电路板取代内导线，可避免超负载熔断内导线问题；藉外导线使用可使发光二极管使用寿命延长；外导线可减少遮蔽出光面积，提升照明亮度。 【专利类型】发明申请 【申请人】海立尔股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810148871.2 【申请日】2008-10-07 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101713521A 【公开公告日】2010-05-26 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101713521B 【授权公告日】2012-05-30 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】F21V19/00; H01L25/00; H01L33/00; F21Y101/02; F21Y115/10 【发明人】陈景宜; 陈明鸿; 温士逸 【主权项内容】一种交流发光二极管结构，其特征在于其包括：一基座，其具有一晶片座；一晶片组，其设置于该晶片座上，又该晶片组具有复数个发光二极管；以及至少一电路板，其设置于该基座上，且该些发光二极管是与该电路板电性连接，并藉由该电路板形成至少一交流发光二极管。 【当前权利人】海立尔股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县 【引证次数】1.0 【被引证次数】3 【他引次数】1.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】3
