【摘要】 本发明公开了一种动态随机存取内存结构及其制造方法，该结构包含有 一凹入式栅极晶体管，位于基底内；一沟槽电容结构，位于基底中，沟槽电 容结构与凹入式栅极晶体管的第一源/漏极电性连接；一第一导电结构，位于 沟槽电容结构上而与沟槽电容结构接触；一堆叠电容结构，位于第一导电结 构上而与第一导电结构接触，其中，沟槽电容结构的下电极与堆叠电容结构 的上电极电连接而成为一共同电极；以及一位线，位于凹入式栅极晶体管的 第二源/漏极的上方而与第二源/漏极电性连接，并且位线的顶部低于凹入式 栅极晶体管的栅极导电层的顶部。 【专利类型】发明申请 【申请人】南亚科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾桃园县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810214215.8 【申请日】2008-08-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101656254A 【公开公告日】2010-02-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101656254B 【授权公告日】2012-04-04 【授权公告年份】2012.0 【发明人】黄文魁 【主权项内容】1.一种动态随机存取内存结构，包含有： 一基底； 一凹入式栅极晶体管，位于该基底内，该凹入式栅极晶体管具有一栅极 导电层、一第一源/漏极、及一第二源/漏极，该栅极导电层自该基底内延伸 至该基底上； 一沟槽电容结构，位于该基底中，该沟槽电容结构经由一单边埋藏式导 电带与该第一源/漏极电性连接； 一第一导电结构，位于该沟槽电容结构上方而与这些沟槽电容结构接 触； 一堆叠电容结构，位于该第一导电结构上方而与该第一导电结构接触， 其中，该沟槽电容结构的下电极与该堆叠电容结构的上电极电连接而成为一 共同电极；及 一位线，位于该第二源/漏极的上方而与该第二源/漏极电性连接，并且 该位线的顶部低于该栅极导电层的顶部。 【当前权利人】南亚科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾桃园县 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
