【摘要】 本发明提供一种半导体装置、晶体管及其制造方法，该半导体装置的制 造方法包括于一基板上形成一外延层，其中上述外延层的导电类型与上述基 板的导电类型相同；于上述外延层中形成一第一掺杂区，其中上述第一掺杂 区的导电类型与上述外延层的导电类型相反；进行一退火步骤，以扩散上述 第一掺杂区中的掺质；于部分上述第一掺杂区中分别形成一第二掺杂区和一 第三掺杂区，且彼此相邻，其中上述第二掺杂区的导电类型与第一掺杂区的 导电类型相反，上述第三掺杂区的导电类型与第一掺杂区的导电类型相同； 于上述外延层上形成一栅极结构，并覆盖部分上述第二掺杂区和上述第三掺 杂区。 【专利类型】发明申请 【申请人】世界先进积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810134089.5 【申请日】2008-07-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101635260A 【公开公告日】2010-01-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101635260B 【授权公告日】2012-04-04 【授权公告年份】2012.0 【发明人】陈巨峰; 罗宗仁; 郭百钧; 宋建宪; 阙华君; 林安宏 【主权项内容】1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该方法包括下列步骤： 提供一基板； 于该基板上形成一外延层，其中该外延层的导电类型与该基板的导电类 型相同； 于该外延层中形成一第一掺杂区，其中该第一掺杂区的导电类型与该外 延层的导电类型相反； 进行一退火步骤，以扩散该第一掺杂区中的掺质； 于部分该外延层中分别形成一第二掺杂区和一第三掺杂区，该第二掺杂 区和该第三掺杂区位于该第一掺杂区中，且彼此相邻，其中该第二掺杂区的 导电类型与第一掺杂区的导电类型相反，该第三掺杂区的导电类型与第一掺 杂区的导电类型相同；以及 于该外延层上形成一栅极结构，并覆盖部分该第二掺杂区和该第三掺杂 区。 【当前权利人】世界先进积体电路股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【被引证次数】5 【被自引次数】3.0 【家族被引证次数】5
