【摘要】 本发明为一种聚焦环，该聚焦环包括一开口、一环状平面以及一凹槽。 前述开口是用以容置一半导体晶片，前述环状平面则环绕前述开口。特别 地是，前述凹槽是环绕设置于环状平面上。本发明可抑制沉积物翘起或由 聚焦环上崩落而造成污染，由此可大幅提升工艺的优良率。 【专利类型】发明申请 【申请人】世界先进积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810128003.8 【申请日】2008-07-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101625958A 【公开公告日】2010-01-13 【公开公告年份】2010 【发明人】李翔麟 【主权项内容】1.一种聚焦环，其特征在于该聚焦环包括： 一开口，用以容置一半导体晶片； 一环状平面，环绕该开口； 一凹槽，环绕设置于该环状平面上。 【当前权利人】世界先进积体电路股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省新竹科学工业园区 【被引证次数】9 【家族被引证次数】9
