【摘要】 本发明的半导体发光元件包含衬底、设置在所述衬底上方的第一导电型半导体层、 设置在所述第一导电型半导体层上方的发光结构、以及设置在所述发光结构上方的第二 导电型半导体层。所述衬底包含上表面以及多个设置在所述上表面上的凸部，所述凸部 包含一顶面、多个壁面以及多个斜面，其中所述斜面夹置在所述顶面与所述壁面之间。。 【专利类型】发明申请 【申请人】广镓光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台中市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810211886.9 【申请日】2008-09-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101677118A 【公开公告日】2010-03-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101677118B 【授权公告日】2011-03-16 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】程志青; 蔡宗良; 林素慧 【主权项内容】1.一种半导体发光元件，其特征在于包含： 衬底，其包含上表面以及多个设置在所述上表面上的凸部，其中所述凸部包含一 顶面、多个壁面以及多个斜面，所述斜面夹置在所述顶面与所述壁面之间； 第一导电型半导体层，其设置在所述衬底上方； 发光结构，其设置在所述第一导电型半导体层上方；以及 第二导电型半导体层，其设置在所述发光结构上方。 【当前权利人】晶元光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【引证次数】2.0 【被引证次数】5 【他引次数】2.0 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】5
