【摘要】 本发明提出了一种混合金属全硅化(FUSI)栅结构的半导体系统和半导体器件。该半导体系统包括PMOS栅结构，所述PMOS栅结构包括第一高k值电介质层、P型金属层、中间禁带金属层和形成在所述P型金属层上的全硅化物层，其中所述中间禁带金属层形成在所述高k值电介质层和所述P型金属层之间。该半导体系统还包括NMOS栅结构，所述NMOS栅结构包括第二高k值电介质层、所述全硅化物层和所述中间禁带金属层，其中所述中间禁带金属层形成与所述高k值电介质和所述全硅化物层之间。 【专利类型】发明授权 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810167725.4 【申请日】2008-09-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101399269B 【公开公告日】2010-12-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101399269B 【授权公告日】2010-12-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/092; H01L29/49 【发明人】余振华; 林正堂; 张正宏; 王湘仪; 叶震南 【主权项内容】一种半导体器件，包括：具有PMOS区和NMOS区的半导体衬底；在所述PMOS区和NMOS区上的电介质层；在所述电介质层上的中间禁带金属层；PMOS栅电极，其中所述PMOS栅电极包括淀积在P型金属上的多晶硅区，所述P型金属淀积在所述中间禁带金属层上；和NMOS栅电极，其中所述NMOS栅电极包括淀积在所述中间禁带金属层上的多晶硅区，且所述多晶硅区为全硅化。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】31
