【摘要】 本发明涉及一种半导体芯片结构，该芯片将半导体基板藉由反复进行磊晶成长、黄光微影、蚀刻、杂质扩散、重复选择性的掺杂物扩散及蒸镀等制程，制成所需的半导体芯片，并于芯片表面形成电极及配线，且于绝缘层、电极及芯片侧边壁面披覆有一防护层，且相对于绝缘层及电极的防护层顶面设有复数大面积的导电垫，各导电垫的面积大于电极，并分别透过一贯穿防护层的连接部与对应的电极形成电气连接，进而形成具有防护层及大面积导电垫的半导体芯片结构。本发明使主动式半导体组件的后段制程可利用芯片的大面积导电垫直接连结、导通、固定于电路基板的印刷电路上，因而能减少常用的焊线及焊球(凸块)封装制程，提高制程优良率及降低制作成本。 【专利类型】发明申请 【申请人】杨秋忠 【申请人类型】个人 【申请人地址】中国台湾台中市南屯区文心路一段212号9楼之1 【申请人地区】中国 【申请号】CN200810207338.9 【申请日】2008-12-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752320A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752320B 【授权公告日】2011-12-07 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L23/00; H01L23/485; H01L23/36; H01L29/41 【发明人】杨秋忠; 林苏宏 【主权项内容】一种半导体芯片结构，其特征在于：该半导体芯片结构在芯片的绝缘层、电极顶面披覆有顶面防护层，顶面防护层还具有覆设于芯片侧边壁面的侧面防护层，且绝缘层及电极的顶面防护层顶面形成有复数大面积的导电垫，各导电垫的面积大于电极，并分别通过贯穿防护层的连接部与对应的电极形成电气连接，进而形成具有防护层及大面积导电垫的半导体芯片结构。 【当前权利人】杨秋忠 【当前专利权人地址】中国台湾台中市南屯区文心路一段212号9楼之1 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】1
