【摘要】 本发明提供一种像素结构的制作方法，该方法包括下列步骤。首先，于基板上形成栅极。接着，于基板上形成栅绝缘层以覆盖栅极，并于栅极上方的栅绝缘层上同时形成沟道层、源极以及漏极，其中栅极、沟道层、源极以及漏极构成薄膜晶体管。继之，于薄膜晶体管以及栅绝缘层上形成保护层，并于保护层上形成黑矩阵，其中黑矩阵具有位于漏极上方的接触开口以及彩色滤光层容纳开口。之后，通过喷墨印刷工艺于彩色滤光层容纳开口内形成彩色滤光层，并于黑矩阵与彩色滤光层上形成介电层。接着，图案化介电层与保护层，以使漏极暴露。接着，形成与漏极电连接的像素电极。 【专利类型】发明授权 【申请人】友达光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810134306.0 【申请日】2008-07-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101330061B 【公开公告日】2010-12-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101330061B 【授权公告日】2010-12-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/84; H01L27/12; G02F1/1362 【发明人】廖达文; 童振邦; 张家铭; 张宗隆; 赖哲永; 江俊毅; 余宙桓; 萧祥志; 周汉唐; 张峻恺 【主权项内容】一种像素结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：于一基板上形成一栅极；于所述基板上形成一栅绝缘层以覆盖所述栅极；于所述栅极上方的所述栅绝缘层上同时形成一沟道层、一源极以及一漏极，其中所述源极与所述漏极位于所述沟道层的部分区域上，且所述栅极、所述沟道层、所述源极以及所述漏极构成一薄膜晶体管；于所述薄膜晶体管以及所述栅绝缘层上形成一保护层；于所述保护层上形成一黑矩阵，所述黑矩阵具有一位于所述漏极上方的接触开口以及一位于所述黑矩阵间的彩色滤光层容纳开口，且所述接触开口与所述彩色滤光层容纳开口暴露出所述保护层的部分区域；通过喷墨印刷工艺于所述彩色滤光层容纳开口内形成一彩色滤光层，且所述彩色滤光层直接的形成于被暴露出的所述保护层上以及所述黑矩阵间；于所述黑矩阵与所述彩色滤光层上形成一介电层；图案化所述介电层与所述保护层，以使所述漏极暴露；以及形成一与所述漏极电连接的像素电极。 【当前权利人】友达光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【引证次数】2.0 【自引次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】5
