【摘要】 本发明揭示一种覆晶封装制程。覆晶封装结构包括一芯片承载器、一芯片、多个凸块、一非导电胶体以及一挡墙。芯片承载器具有多个第一接点。芯片具有一有源表面以及多个位于有源表面上的焊垫，其中这些焊垫配置于芯片的有源表面的一中心区域内。凸块配置于焊垫上以使第一接点与焊垫电性连接。非导电胶体配置于芯片与芯片承载器之间以包覆凸块。挡墙配置于芯片与芯片承载器之间，且位于被非导电胶体包覆的凸块周边，而且挡墙与有源表面的部分区域接触。 【专利类型】发明授权 【申请人】南茂科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区新竹县研发一路一号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810092121.8 【申请日】2008-04-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101552245B 【公开公告日】2010-12-01 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101552245B 【授权公告日】2010-12-01 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L23/31; H01L23/488; H01L21/50; H01L21/56; H01L21/60 【发明人】刘光华 【主权项内容】一种覆晶封装制程，包括：提供一芯片，该芯片具有一有源表面以及多个位于该有源表面上的焊垫；于该芯片的该些焊垫上形成多个凸块；于该有源表面上形成一挡墙，该挡墙避开该些凸块形成区域围出一区块；于该区块内的该有源表面上形成一非导电胶体，以包覆该些凸块；以及于形成该挡墙与该非导电胶体之后，令该芯片通过该些凸块与一芯片承载器电性连接。 【当前权利人】南茂科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区新竹县研发一路一号 【引证次数】3.0 【自引次数】1.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】5
