【摘要】 本发明揭示一种像素结构的制作方法以及像素结构，该制作方法包括下列 步骤。首先，依序形成透明导电层与第一导电层于基板上。利用第一光刻胶层 具有不同厚度的第一区与第二区为罩幕，移除部分的第一导电层与透明导电 层，以形成复合栅极，并且使像素穿透区的透明导电层以及像素反射区内至少 一部分的透明导电层暴露出来。移除第一光刻胶层。依序于基板上形成栅绝缘 层与半导体层。利用第二光刻胶层具有不同厚度的第三区与第四区为罩幕，移 除部分的半导体层与栅绝缘层，以形成接触开口与通道层。移除第二光刻胶层。 然后，于基板上形成图案化第二导电层，其包括源极、漏极与反射图案。 【专利类型】发明申请 【申请人】中华映管股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省台北市中山北路三段二十二号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810127932.7 【申请日】2008-07-01 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101621039A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101621039B 【授权公告日】2011-02-09 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/84; H01L27/12; G02F1/1362; H01L21/70 【发明人】张锡明 【主权项内容】1.一种像素结构的制作方法，包括： 提供一基板，其包括一有源元件区、一像素穿透区以及一像素反射区； 依序形成一透明导电层与一第一导电层于该基板上； 于该第一导电层上形成一第一光刻胶层，该第一光刻胶层具有一第一区与 一第二区，该第一光刻胶层的该第一区与该第二区的厚度不同； 以该第一光刻胶层为罩幕，移除部分的该第一导电层与该透明导电层，以 于该有源元件区中形成一复合栅极； 移除该第一光刻胶层的该第一区，以暴露出位于该像素穿透区的该第一导 电层以及位于该像素反射区内部份或全部的该第一导电层； 以该第一光刻胶层的该第二区为罩幕，移除被暴露的该第一导电层，以使 该像素穿透区的该透明导电层以及该像素反射区内部份或全部的该透明导电 层暴露出来； 移除该第一光刻胶层的该第二区； 依序于该基板上形成一栅绝缘层与一半导体层； 形成一第二光刻胶层于该半导体层上，该第二光刻胶层具有一第三区与一 第四区，该第二光刻胶层的该第三区与该第四区的厚度不同； 以该第二光刻胶层为罩幕，移除部分的该半导体层与该栅绝缘层，以形成 一接触开口，其暴露出部分的该透明导电层； 移除该第二光刻胶层的该第三区，暴露出位于该像素反射区与该像素穿透 区中的该半导体层； 移除被暴露出的该半导体层，留下位于该有源元件区的该半导体层以作为 一通道层； 移除该第二光刻胶层的该第四区；以及 于该基板上形成一图案化第二导电层，其包括一源极、一漏极与一反射图 案，其中该源极与该漏极位于该通道层的上方，该反射图案位于该像素反射区 的该透明导电层上方。。该数据由<>整理 【当前权利人】武汉华星光电技术有限公司 【当前专利权人地址】湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋 【被引证次数】19 【被自引次数】1.0 【被他引次数】18.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】19
