【摘要】 一种高效能储能元件的封装结构，包括储能元件、第一金属基板、第二金属基 板、以及绝缘覆层。第一金属基板平行配置于储能元件的上表面且第一金属基板的 一侧向外延伸至储能元件之外以作为第一导电电极。第二金属基板平行配置于储能 元件的下表面且第二金属基板的一侧以相对于第一金属基板延伸的方向向外延伸 至储能元件之外以作为第二导电电极。绝缘覆层包覆于储能元件、第一金属基板、 以及第二金属基板外以使第一及第二导电电极露出。储能元件以夹入中间的型式夹 于第一与第二金属基板之间。 【专利类型】发明申请 【申请人】詹前疆 【申请人类型】个人 【申请人地址】台湾省台北县中和市中安街210号14楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810127927.6 【申请日】2008-07-01 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101620937A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01G9/155; H01G9/04; H01G9/08; H01G11/78 【发明人】詹前疆 【主权项内容】1.一种高效能储能元件的封装结构，包含： 一储能元件，具有一上表面及一下表面； 一第一金属基板，平行配置于该储能元件的该上表面，且该第一金属基板的一 侧向外延伸至该储能元件之外以作为一第一导电电极； 一第二金属基板，平行配置于该储能元件的该下表面，且该第二金属基板的一 侧以相对于该第一金属基板延伸的方向向外延伸至该储能元件之外以作为一第二 导电电极；以及 一绝缘覆层，包覆于该储能元件、该第一金属基板、以及该第二金属基板外以 使该第一导电电极及该第二导电电极露出； 其中该储能元件以夹入中间的型式夹于该第一金属基板与该第二金属基板之 间。 【当前权利人】詹前疆 【当前专利权人地址】台湾省台北县中和市中安街210号14楼 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2
