【摘要】 本发明公开了一种像素结构，配置于一基板上并与一扫描线及一数据线电性连接，像素结构包括一半导体图案以及一像素电极。半导体图案包括至少二通道区、至少一掺杂区以及一源极区与一漏极区。通道区位于扫描线下方，其中通道区具有不同的宽度长度比值。掺杂区连接于通道区之间。像素电极与漏极区电性连接，其中源极区连接于其中一个通道区与数据线之间，而漏极区接于另一个通道区与像素电极之间。扫描线在不同的通道区上方具有不同的宽度，且各通道区的一长度与扫描线的宽度相等。 微信 【专利类型】发明授权 【申请人】友达光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810001065.2 【申请日】2008-01-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101221960B 【公开公告日】2010-12-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101221960B 【授权公告日】2010-12-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/12; H01L23/522; G02F1/136; G02F1/1362 【发明人】萧嘉强; 罗诚; 胡至仁 【主权项内容】一种像素结构，配置于一基板上并与一扫描线及一数据线电性连接，其特征在于，该像素结构包括：一半导体图案，该半导体图案包括：一U型掺杂区；至少二通道区，该至少二通道区由连接该U型掺杂区两端的半导体图案与该扫描线相交形成，并且，该至少两通道区位于该扫描线下方，其中该些通道区具有不同的宽度长度比值；一源极区与一漏极区；以及一像素电极，与该漏极区电性连接，其中该源极区连接于其中一个通道区与该数据线之间，而该漏极区接于另一个通道区与该像素电极之间；其中，该扫描线在不同的通道区上方具有不同的宽度，且各该通道区的一长度与该扫描线的一宽度相等。 【当前权利人】友达光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾 【引证次数】3.0 【被引证次数】3 【自引次数】1.0 【他引次数】2.0 【被自引次数】2.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】23
