【摘要】 一种高压电容结构及其制造方法。高压电容结构包括双重扩散漏极结构层、氧化层及多晶硅层。双重扩散漏极结构层用以作为一高压电容的下电极板。氧化层是形成于双重扩散漏极结构层上，且氧化层完全重叠于双重扩散漏极结构层上。多晶硅层是形成于氧化层上，用以作为高压电容的上电极板。 【专利类型】发明授权 【申请人】联咏科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学园区创新一路1-2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810086404.1 【申请日】2008-03-13 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101533766B 【公开公告日】2010-09-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101533766B 【授权公告日】2010-09-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/02; H01L21/822; H01L29/94; H01L27/06 【发明人】林瑞昌 【主权项内容】一种高压电容结构的制造方法，其特征在于，包括：形成一双重扩散漏极结构层作为一高压电容的下电极板；形成一氧化层于所述双重扩散漏极结构层上，且所述氧化层完全重叠于所述双重扩散漏极结构层上；以及形成一多晶硅层于所述氧化层上，作为所述高压电容的上电极板。。微信 【当前权利人】联咏科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学园区创新一路1-2号 【引证次数】3.0 【被引证次数】1 【他引次数】3.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】3
