【摘要】 微信 一种消除硅片表面水雾的低温热处理工艺，单片处理时，它包括以下步骤：将单片硅片载入炉腔，抽真空，并以氮气置换；以10～30℃/s升温速度升温到100～300℃，并恒温，恒温阶段通入臭氧气体；以10～30℃/s降温速度，降温到80℃，然后取出硅片；当多片处理时，其升温速度和恒温时间与单片处理时有些不同。本发明的优点是：加入臭氧的目的是利用臭氧氧化表面残余有机物和可溶性离子，以获得更好的硅片表面，由于气氛中加入臭氧的浓度和热处理温度都比较低，所以臭氧的存在不会影响氧化硅片表面，导致硅片表面氧化膜厚度增加，也不会影响硅片内热施主的分布，也不会影响硅片表面微粗糙度的变化，经过低温热处理后的硅片即可直接使用。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京有色金属研究总院; 有研半导体材料股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100088 北京市新街口外大街2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】西城区 【申请号】CN200810239405.5 【申请日】2008-12-08 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752213A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752213B 【授权公告日】2011-09-07 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/00 【发明人】冯泉林; 何自强; 闫志瑞; 常青; 张果虎; 周旗钢 【主权项内容】一种消除硅片表面水雾的低温热处理工艺，其特征在于：它包括以下步骤：(1)、将单片硅片载入炉腔，抽真空，并以氮气置换；(2)、以10～30℃/s升温速度升温到100～300℃，并恒温，恒温阶段通入臭氧气体；(3)、以10～30℃/s降温速度，降温到80℃，然后取出硅片。 【当前权利人】有研半导体硅材料股份公司 【当前专利权人地址】北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧 【专利权人类型】股份有限公司 【被引证次数】3 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】3
