【摘要】 一种测量坩埚中硅熔体水平面相对高度(指相对于热屏下缘的高度)的方法，方法包括以下步骤：将CCD摄像机安装在硅单晶炉上炉体的观测窗口上，观测单晶炉内热屏下缘和热屏在熔体上的倒影；图像处理系统对CCD拍摄到的图像进行扫描，计算得到热屏在熔体上倒影的半径，将这个半径值代入经推导得到的热屏倒影半径r同液面相对高度H(液面距离热屏下端面高度)关系公式可以计算出液面相对高度。本发明优点是：可以实时监控熔体液面的相对高度变化，通过图像处理软件分析像素值增减来计算液面的高度变化。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京有色金属研究总院; 有研半导体材料股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100088 北京市新街口外大街2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】西城区 【申请号】CN200810239916.7 【申请日】2008-12-15 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101748478A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101748478B 【授权公告日】2013-07-31 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】C30B15/20 【发明人】崔彬; 高宇; 吴志强; 戴小林 【主权项内容】一种测量坩埚中硅熔体水平面相对高度的方法，其特征在于：它包括以下步骤：(1)、将CCD摄像机安装在硅单晶炉上炉体的观测窗口上，观测单晶炉内热屏下缘和热屏在熔体上的倒影；(2)、图像处理系统对CCD拍摄到的图像进行扫描；(3)、将热屏倒影扫描点坐标换算为相应热屏倒影坐标r；(4)、将r值输入根据液面相对高度H、热屏下缘半径R、热屏倒影半径r、CCD镜头到籽晶提升钢缆的距离k和镜头到热屏下缘的距离b之间空间关系推到的关系函数，计算得到液面距离热屏下端高度H。 【当前权利人】有研半导体硅材料股份公司 【当前专利权人地址】北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧 【专利权人类型】股份有限公司 【被引证次数】13 【被他引次数】13.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】13
