【摘要】 本发明提供静态随机存取存储器老化筛选方法与芯片老化筛选方法。静 态随机存取存储器(SRAM)老化筛选方法藉由控制静态随机存取存储器一存 储单元的相关控制信号令所述存储单元与相关的一位线与一互补位线组成电 流回路，以电流对所述存储单元的金属接点进行老化筛选动作。本发明因而 可用来淘汰金属接点接触不良的产品。 【专利类型】发明申请 【申请人】世界先进积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810131364.8 【申请日】2008-08-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101650975A 【公开公告日】2010-02-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101650975B 【授权公告日】2012-11-14 【授权公告年份】2012.0 【发明人】陈瑞隆; 陈伟松; 钟毅勋; 张家铨 【主权项内容】1.一种静态随机存取存储器老化筛选方法，其特征在于，所述静态随机 存取存储器的一存储单元包括一闩锁、一第一传输门以及一第二传输门，所 述第一与第二传输门由一字符线的信号控制，于启动时分别耦接所述闩锁的 一第一端与一第二端至一位线与一互补位线，所述位线与所述互补位线之间 包括一等化电路，所述静态随机存取存储器老化筛选方法包括： 令所述闩锁的所述第一与第二端分别为一第一状态与一第二状态； 启动所述等化电路；以及 设定所述字符线的信号以启动所述第一与第二传输门。 【当前权利人】世界先进积体电路股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区
