【摘要】 一种双面太阳能电池的制造方法，至少包含步骤：提供半导体基板；于半导体基板的第一表面上形成射极层，并于半导体基板与射极层间形成pn结；于射极层上形成第一抗反射膜；于半导体基板的第二表面上以网版印刷技术形成掺杂源层；于半导体基板与掺杂源层间形成背表面电场层；于背表面电场层上形成第二抗反射膜；于第二表面上形成至少一第二电极；以及于第一表面上形成至少一第一电极。本发明所提供的双面太阳能电池的制造方法可以有效简化工艺，并可大幅缩短整体的工艺时间，且可进一步节省成本，使得双面太阳能电池的制造过程更为简便、快速以及有效率。 【专利类型】发明申请 【申请人】台湾茂矽电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810177806.2 【申请日】2008-12-01 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752452A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】沈昌宏; 罗珮婷; 游志成; 曾玉珠 【主权项内容】一种双面太阳能电池的制造方法，至少包含步骤：提供一半导体基板；形成一射极层于该半导体基板的一第一表面上，并于该半导体基板与该射极层间形成pn结；形成一第一抗反射膜于该射极层上；以网版印刷技术形成一掺杂源层于该半导体基板的一第二表面上；形成一背表面电场层于该半导体基板与该掺杂源层间；形成一第二抗反射膜于该背表面电场层上；形成至少一第二电极于该第二表面上；以及形成至少一第一电极于该第一表面上。 【当前权利人】台湾茂矽电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【被引证次数】7 【被自引次数】1.0 【被他引次数】6.0 【家族被引证次数】7
