【摘要】 本发明揭露一种电熔丝结构，其包含设于半导体基底表面的熔丝本体、电性连接熔丝本体的一端的阴极、以及电性连接熔丝本体的另一端的阳极。依据本发明的较佳实施例，至少部分的熔丝本体上设有压缩应力层(compressive stress layer)。 【专利类型】发明申请 【申请人】联华电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810184704.3 【申请日】2008-12-29 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101771021A 【公开公告日】2010-07-07 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101771021B 【授权公告日】2013-07-24 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H01L23/525; H01L21/768 【发明人】郭建利; 林永昌; 吴贵盛; 林三富 【主权项内容】1.一种电熔丝结构，包含：熔丝本体，设于半导体基底表面之上，且至少部分该熔丝本体上覆盖有压缩应力层(compressive stress layer)；阴极，电性连接该熔丝本体的一端；以及阳极，电性连接该熔丝本体的另一端。。-官网 【当前权利人】联华电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【被引证次数】7 【被他引次数】7.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】7
