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功率放大器系统及其控制方法及控制装置专利

发布时间:2026-06-20

【摘要】 一种功率放大器系统及其控制方法及控制装置。功率放大器的控制装 置依据输入信号的波包大小使功率放大器系统操作在非线性切换模式。当 功率放大器操作在非线性切换模式时,控制装置依据预量测功率放大器所 获得的特性,对应输入信号来提供供给电压及功率放大器输入信号给功率 放大器,以使功率放大器具有高功率附加效率(Power-Added Efficiency, PAE)且较佳的线性度。 【专利类型】发明申请 【申请人】财团法人工业技术研究院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810160801.9 【申请日】2008-09-16 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101677228A 【公开公告日】2010-03-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101677228B 【授权公告日】2011-11-09 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H03F1/32; H03F3/20 【发明人】吴秉勋; 赖昶铭; 李胜丰; 赵哲宽 【主权项内容】1.一种功率放大器的控制装置,包括: 一模式选择模块,用以接收一输入信号,根据该输入信号的波包大小 与一临界值的大小关系输出一模式信号; 一参数提供模块,用以提供一供给电压参数及一功率放大器输入功率 参数; 一波形调整模块,耦接至该模式选择模块及该参数提供模块,并接收 该输入信号,且输出一功率放大器输入信号至该功率放大器的输入端,当 该模式信号为一第一模式时,该波形调整模块依据该输入信号的波包大小 自该参数提供模块取得该功率放大器输入功率参数,再依据该功率放大器 输入功率参数及该输入信号输出该功率放大器输入信号; 一电源电压产生模块,耦接至该模式选择模块及该参数提供模块,并 输出一供给电压至该功率放大器的电源端,当该模式信号为该第一模式时, 依据该输入信号的波包大小自该参数提供模块取得该供给电压参数,以设 定该供给电压;以及 一偏压产生模块,耦接至该模式选择模块,并输出一放大器偏压至该 功率放大器的偏压端,当该模式信号为该第一模式时,根据该模式信号设 定该放大器偏压为一第一预定偏压值。 【当前权利人】财团法人工业技术研究院 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县 【引证次数】3.0 【被引证次数】8 【他引次数】3.0 【被他引次数】8.0 【家族引证次数】9.0 【家族被引证次数】8

  • 【摘要】本发明主要为可产生一电源起始重置信号的一种电路及方法,该方法包 括:使电源开始上升;依上升的电源建立一参考电压;判断该参考电压是否低 于一反相器的状态转换点;若是则对传统电源起始重置信号电路中的电容充 电;电容充电过程中对系统产生重
  • 【摘要】本发明公开一种磁性元件,包括第一铁芯、第二铁芯、至少一凸块及至少一导线。该凸块设置于第一铁芯与第二铁芯之间。该导线位于第一铁芯与第二铁芯之间。。【专利类型】发明申请【申请人】台达电子工业股份有限公司【申请人类型】企业【申请人地址】中
  • 【摘要】本发明是有关于一种用于静电潜像显像的显像组成物,包括:一载体、 及一碳粉组成物,其中碳粉组成物包括碳粉粒子,且碳粉粒子的圆度大于 或等于0.95。此外,在本发明的显像组成物中,载体为一磁性粒子,且碳 粉组成物可包含树脂、色料、电荷控
  • 【摘要】本发明一种触控式双稳态显示器,是在一薄膜晶体管阵列基板上方覆设一绝缘层,且制作多条检测线于该绝缘层的表面,其中,该绝缘层具有多个透孔各别正对着该薄膜晶体管阵列基板的每一画素电极,且该些画素电极与该薄膜晶体管阵列基板的多条电源线各别电
  • 【摘要】本发明是有关于一种图案化的方法。首先,提供一衬底,此衬底具有目 标材料层。然后,在目标材料层上形成掩膜层。接着,在掩膜层上形成图 案层,其中图案层的材料包括含金属材料。之后,对掩膜层进行图案化以 形成图案化掩膜层。继之,以图案化掩膜
  • 【摘要】一种半导体装置及其制法,包括具有接置面的基板,该接置面具有多个焊指部且覆盖有一绝缘层,该绝缘层形成有开口露出所述焊指部;以及结合于该基板上的芯片,该芯片包括本体、多个凸块以及自粘性保护层,该自粘性保护层形成于芯片表面上并露出所述凸块