【摘要】 本发明是有关于一种图案化的方法。首先，提供一衬底，此衬底具有目 标材料层。然后，在目标材料层上形成掩膜层。接着，在掩膜层上形成图 案层，其中图案层的材料包括含金属材料。之后，对掩膜层进行图案化以 形成图案化掩膜层。继之，以图案化掩膜层为掩膜，对目标材料层进行图 案化。本发明提供的图案化的方法，在掩膜层及图案化光刻胶之间夹一阻 挡层，可用以提升光刻工艺的解析度及蚀刻工艺的抗蚀刻度，以利于制作 线宽小于80奈米(nm)以下的工艺，甚至可以缩小半导体元件的关键尺寸。 【专利类型】发明申请 【申请人】旺宏电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810161369.5 【申请日】2008-09-23 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101625960A 【公开公告日】2010-01-13 【公开公告年份】2010 【发明人】许汉辉; 洪士平; 魏安祺; 吴明宗 【主权项内容】 。1、一种图案化的方法，其特征在于其包括以下步骤： 提供一衬底，该衬底具有一目标材料层； 在该目标材料层上形成一掩膜层； 在该掩膜层上形成一图案层，其中该图案层的材料包括一含金属材料； 对该掩膜层进行图案化以形成一图案化掩膜层；以及 以该图案化掩膜层为掩膜，对该目标材料层进行图案化。 【当前权利人】旺宏电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县 【被引证次数】9 【家族被引证次数】12
