【摘要】 本发明的注入设备的效能决定方法，包含：形成杂质阻障层于基板上、 形成标靶层于该杂质阻障层上、使用注入设备进行注入工艺以将杂质注入该 标靶层、量测该标靶层的至少一电气特性、以及考量该电气特性以便决定该 注入设备效能。在本发明的一实施例中，该杂质阻障层为氮化硅层，该标靶 层为多晶硅层，该电气特性为该导电多晶硅层的片电阻。 【专利类型】发明申请 【申请人】茂德科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810165698.7 【申请日】2008-09-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101661870A 【公开公告日】2010-03-03 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/66 【发明人】许誉濒; 张原铭; 李伟恒; 巫政达 【主权项内容】1、一种注入设备的效能决定方法，包含下列步骤： 形成杂质阻障层于基板上； 形成标靶层于该杂质阻障层上； 使用注入设备进行注入工艺以将杂质注入该标靶层； 量测该标靶层的至少一电气特性；以及 考量该电气特性以便决定该注入设备效能。 【当前权利人】茂德科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园 【引证次数】1.0 【被引证次数】4 【他引次数】1.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】21.0 【家族被引证次数】5
