【摘要】 一种金属凸块结构及其应用于封装结构，是于金属凸块四周设 计有阻障层(dam structure)，且阻障层的高度超出金属凸块的高度， 而可于覆晶接合制程中，借由阻障层的阻挡限制各向异性导电层 (ACF)中导电粒子的流动，再者，由于阻障层为高分子材料，其热 阻高于金属凸块，将使得各向异性导电层产生流动性差异，进而减少 导电粒子的流失，及提高导电粒子的捕捉率。 【专利类型】发明申请 【申请人】瀚宇彩晶股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台北县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810134024.0 【申请日】2008-07-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101635290A 【公开公告日】2010-01-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101635290B 【授权公告日】2012-05-30 【授权公告年份】2012.0 【发明人】汤宝云 【主权项内容】1.一种金属凸块结构，包含： 一凸块底部金属层，形成于一半导体元件上并电性连接至该 半导体元件的一连接垫； 一金属凸块，形成于该凸块底部金属层上；以及 一阻障层，形成于该半导体元件上并完整环绕于该金属凸块 周围，且该阻障层的高度超出该金属凸块的高度。 【当前权利人】瀚宇彩晶股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北县 【被引证次数】7 【家族被引证次数】7
