24小时服务热线
效率高速
品质保障
厂家直供
售后保障
行业新闻
当前位置:行业新闻>

具平均抹除机制的闪存装置及其控制方法专利

发布时间:2026-06-19

【摘要】 本发明公开了一种具平均抹除机制的闪存装置及其控制方法。所述闪存装置,包括:至少一闪存、一热门清单、一位元对应表、一指针及一控制单元。其中,控制单元是透过热门清单、一实体记忆区块的抹除次数及闪存装置的一整体平均抹除次数来取得一抹除次数较高的实体记忆区块,并且再透过位元对应表及指针的管理,以正确地追踪出储存冷门数据的实体记忆区块。然后控制单元再将冷门数据搬移至抹除次数较高的实体记忆区块中,藉此释放冷门数据所占用的实体记忆区块,以防止抹除次数高的实体记忆区块继续磨损,而达到闪存平均抹除的目的。 【专利类型】发明申请 【申请人】威刚科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台北县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810179062.8 【申请日】2008-11-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740100A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】G11C7/10; G06F12/02 【发明人】张立平; 陈明达; 黄千庭 【主权项内容】一种具平均抹除机制的闪存装置,其特征在于,包括:至少一闪存,是包含一记忆单元,该记忆单元是具有多个实体记忆区块;一热门清单,是记录最近写入的多个逻辑区块位址;一位元对应表,是具有多个位元,并且各位元是分别对应表示该实体记忆区块的一抹除状态;一指针,是循序指向该位元对应表中表示为尚未抹除的实体记忆区块;一控制单元,是依据该热门清单以及该实体记忆区块的一抹除次数来取得至少一抹除次数较高的实体记忆区块,并且将该指针所指的实体记忆区块中的数据复制到该抹除次数较高的实体记忆区块,然后抹除该指针所指的实体记忆区块。 【当前权利人】威刚科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北县 【被引证次数】7 【被他引次数】7.0 【家族被引证次数】7

  • 【摘要】本发明公开了一种酸碱值恒定自动控制溶出试验系统,包括自动控制装置、酸碱液添加装置、搅拌溶出装置及酸碱值探针。酸碱液添加装置电性连接于自动控制装置,并具有空气泵浦、酸液容器、碱液容器、酸液分压阀及碱液分压阀。空气泵浦电性连接于自动控制
  • 【摘要】本发明涉及一种微机电的封装方法,包括有以下步骤:对一盖板的表面进 行蚀刻并于盖板上形成多个穿孔,再对盖板表面进行处理,使得盖板表面形成 有一隔离层,而后可进一步将盖板与一微机电元件进行粘合,并于穿孔的表面 设置一导电层,导电层与微机
  • 【摘要】本发明为一种平面光源的驱动装置,其包括电源模块、驱动模块、升压模块以及控制模块,其中该升压模块与平面光源电连接,该控制模块可依据该平面光源或驱动模块所回授的电能量来改变输出至该驱动模块的输出功率,让该升压模块输出适当的功率使平面光源
  • 【摘要】本发明为一种薄膜晶体管结构、像素结构及其制造方法,该薄膜晶体管 结构形成于液晶显示装置的像素结构中,其包含:依序堆叠的栅极、第一介 电层与图案化半导体层;第二介电层与第三介电层,形成于该图案化半导体 层上,将该图案化半导体层界定出覆
  • 【摘要】本实用新型提供了一种网版印刷框结构,包含一矩形主框体和一中空槽, 所述主框体的内壁四端呈圆弧角,内壁设置至少一凸肋;所述主框体的中空槽 由至少一支撑件隔绝及支撑侧壁,使所述主框体的受力强度增加,防止所述主 框体轻易变形。【专利类型】
  • 【摘要】本发明公开了一种电源供应装置。此电源供应装置包括整流器、主电池、备 用电池模块以及选择单元。整流器接收外部电源并输出第一系统电压。主电池提供 第二系统电压。备用电池模块提供备用电压。选择单元连接于整流器、主电池与备 用电池模块之间并