【摘要】 本发明为一种薄膜晶体管结构、像素结构及其制造方法，该薄膜晶体管 结构形成于液晶显示装置的像素结构中，其包含：依序堆叠的栅极、第一介 电层与图案化半导体层；第二介电层与第三介电层，形成于该图案化半导体 层上，将该图案化半导体层界定出覆盖区域及非覆盖区域，该非覆盖区域与 该第二介电层及该第三介电层共同界定开口，该开口具有底部横向尺寸以及 至少一个顶部横向尺寸。该底部横向尺寸小于该至少一个顶部横向尺寸，借 此，要注入的离子适可通过该第二介电层在部分该覆盖区域上形成轻掺杂结 构。本发明能确实获得所需的掺杂结构并且降低制造成本。 【专利类型】发明授权 【申请人】友达光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810090980.3 【申请日】2008-04-08 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100589232C 【公开公告日】2010-02-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100589232C 【授权公告日】2010-02-10 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/336; H01L21/84; H01L21/768; H01L29/786; H01L27/12; H01L23/522; G02F1/1362 【发明人】陈昱丞 【主权项内容】1.一种薄膜晶体管结构的制造方法，该薄膜晶体管结构形成于液晶显示 器中，该方法包含下列步骤： 步骤a，在基板上形成栅极； 步骤b，形成第一介电层，以覆盖该栅极； 步骤c，形成图案化半导体层于该第一介电层上，重叠于该栅极之上； 步骤d，在该图案化半导体层上依序形成第二介电层与第三介电层，定 义多个开口，以暴露出重叠于该栅极两侧之上的部分该图案化半导体层，每 一开口具有底部横向尺寸以及至少一个顶部横向尺寸，其中： 该底部横向尺寸由该第二介电层界定，该至少一个顶部横向尺寸由 该第三介电层界定，该底部横向尺寸小于该至少一个顶部横向尺寸，以暴露 出部分该第二介电层，该第二介电层定义的该开口的边缘，约略对准该栅极 的边缘；以及 步骤e，掺杂该图案化半导体层，以在所述开口暴露的该图案化半导体 层中形成重掺杂区域，同时在位于已暴露的该第二介电层下的该图案化半导 体层中形成轻掺杂区域。 【当前权利人】友达光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【引证次数】6.0 【自引次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】8
