【摘要】 本发明新型MOS-ADD探测器采用硅单晶片来制作。应用于SiPM多单元集成时，采用MOS-ADD结构可以方便的解决SiPM单元面积与输出电容要求之间的矛盾，可以在保持低的输出电容的同时提供很高的填充因子(大于70％)和探测效率。同时，由于采用很小面积的“点状”雪崩区，高场区面积大大减小，可以有效减小漏电流和暗记数(相比于相同有效探测面积的SiPM器件)。MOS-ADD采用正面入射方式，入射面所有电极可采用透明导电膜，能够有效减小电极的阻挡和对光的吸收。全耗尽的有源区可深达几微米或几十微米，对蓝光到近红外光波段都敏感。MOS-ADD结构用于制作单元大面积单光子探测器时，因输出电容小且不依赖于探测器的面积，其电子学噪声一般远小于具有同样通光窗口面积和光吸收区厚度的常规雪崩光电二极管，适合于对穿透深度较浅的软X射线及可见光的探测。如果结合闪烁体还可以用来探测高能量的X或γ射线。。该数据由<>整理 【专利类型】发明申请 【申请人】北京师范大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100875 北京市海淀区新街口外大街19号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810180461.6 【申请日】2008-11-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752391A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752391B 【授权公告日】2011-11-09 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L27/144; G01J1/42 【发明人】袁俊; 韩德俊 【主权项内容】一种新型MOS-ADD探测器，其特征在于：制作该探测器的半导体材料为单晶硅片，每个探测器单元由“点状”雪崩二极管收集区、耗尽有源区、大面积透明栅极MOS结构、掩埋pn结、内漂移电极、外漂移电极以及接地构成； 【当前权利人】北京师范大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区新街口外大街19号 【统一社会信用代码】12100000400010056C 【被引证次数】13 【被他引次数】13.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】14
