【摘要】 本发明涉及半导体芯片工艺技术领域，尤其涉及生成导通电阻小的半导 体芯片技术。一种半导体芯片生成方法，包括：在硅晶片的外延层上水平放 置半导体芯片的掩模；所述掩模的边与该硅晶片的(110)晶向成45度角；根 据所述掩模生成所述半导体芯片。本发明还提供了一种硅晶片和硅晶柱。由 于将半导体芯片掩模与硅晶片的(110)晶向成45度角放置(即与(100)晶向平 行)，从而生成芯片表面的载流子迁移方向也与硅晶片的(110)晶向成45度角， 而使得芯片的载流子迁移率较高，从而生成的芯片导通电阻较小。 【专利类型】发明申请 【申请人】北大方正集团有限公司; 深圳方正微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100871北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦513 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810222160.5 【申请日】2008-09-10 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101673664A 【公开公告日】2010-03-17 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/02; H01L21/304; H01L23/00 【发明人】王新强; 方绍明; 赵亚民; 刘鹏飞; 陈勇; 陈洪宁 【主权项内容】1、一种半导体芯片生成方法，其特征在于，包括： 在硅晶片的外延层上水平放置半导体芯片的掩模；所述掩模的边与该硅 晶片的< 110> 晶向成45度角； 根据所述掩模生成所述半导体芯片。 【当前权利人】北大方正集团有限公司; 深圳方正微电子有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦513; 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园 【专利权人类型】其他有限责任公司; 有限责任公司(法人独资) 【统一社会信用代码】91110108101974963M; 91440300755682249E
