【摘要】 本发明公开了一种采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法，该方法包括：选择HBT材料的B-C结制作变容二极管，利用HBT中基极层材料的高掺杂特征，使接触金属不经过高温金属化工艺或者快速金属化工艺可形成欧姆接触；采用耐高温和多次加厚的掩膜层来保护无需二次掺杂的区域，利用离子注入设备对变容二极管材料区域进行掺杂元素二次掺杂，调整变容二极管材料区域掺杂组分至适于制作变容二极管的超突变结状态，同时使无需二次掺杂的区域不受该二次掺杂的影响。本发明对需优化性能的二极管器件材料区域进行二次掺杂，同时保护电路其他区域的特性，使在同一片半导体材料可以在满足其他器件需求的同时，可以制作高质量的变容二极管。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810116044.5 【申请日】2008-07-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101621027B 【公开公告日】2010-10-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101621027B 【授权公告日】2010-10-27 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/82; H01L21/329; H01L21/266 【发明人】王显泰; 金智 【主权项内容】一种采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法，其特征在于，该方法包括：选择异质结双极型晶体管HBT材料的基极-集电极结制作变容二极管，利用HBT中基极层材料的高掺杂特征，使接触金属不经过高温金属化工艺或者通过快速金属化工艺可形成欧姆接触；采用耐高温和多次加厚的掩膜层来保护无需二次掺杂的区域，利用离子注入设备对变容二极管材料区域进行掺杂元素二次掺杂，调整变容二极管材料区域掺杂组分至适于制作变容二极管的超突变结状态，同时使无需二次掺杂的区域不受该二次掺杂的影响。 【当前权利人】中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0
