【摘要】 本发明公开了一种半导体器件栅极的形成方法，包括步骤：提供已形成垫氧化层的衬底；在所述衬底的垫氧化层上形成辅助介质层；利用光刻工艺在所述辅助介质层上形成栅极孔图形；以所述栅极孔图形为掩膜，刻蚀所述辅助介质层至暴露出所述垫氧化层，形成栅极孔；沉积多晶硅层，以填充所述栅极孔；平坦化所述多晶硅层至暴露出所述辅助介质层；去除所述辅助介质层，形成栅极。本发明还提供了一种相应的半导体器件形成方法。采用本发明的半导体器件及其栅极的形成方法形成的半导体器件，可以缓解退火步骤中离子向栅极下扩散引发的器件电性能变差的问题，减小栅极及源/漏极之间的交叠电容，提高器件的工作速度。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810225922.7 【申请日】2008-11-06 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740368A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/28; H01L21/336; H01L21/02 【发明人】张海洋; 吴永玉; 韩秋华 【主权项内容】一种半导体器件栅极的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供已形成垫氧化层的衬底；在所述衬底的垫氧化层上形成辅助介质层；利用光刻工艺在所述辅助介质层上形成栅极孔图形；以所述栅极孔图形为掩膜，刻蚀所述辅助介质层至曝露出所述垫氧化层，形成栅极孔；沉积多晶硅层，以填充所述栅极孔；平坦化所述多晶硅层至曝露出所述辅助介质层；去除所述辅助介质层，形成栅极。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】2.0 【被引证次数】8 【他引次数】2.0 【被自引次数】8.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】8
