【摘要】 本发明公开了一种碳纳米管或纳米线分叉结构的制备方法，该方法包括：制备芯片，该芯片包括一对平行电极和平行电极之间的若干个浮点电极；将碳纳米管和/或纳米线溶于有机溶剂中，并进行超声分散，制得碳纳米管和/或纳米线的悬浮液；将芯片浸没于所述悬浮液中，在上述电极上施加交流电或直流电；取出芯片，吹干，在浮点电极之间获得两根或多根碳纳米管和/或纳米线的的分叉结构。本发明利用交变电场或交变的感应电场获得Y或T形的分叉结构，其可控性好、方法简单、效率高；同时，由于所获的分叉结构与电极相连，可以在同一芯片上原位实现分叉结器件或结器件阵列，为纳电子器件提供新的集成方法。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100871 北京市海淀区颐和园路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810004331.7 【申请日】2008-01-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101293629B 【公开公告日】2010-09-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101293629B 【授权公告日】2010-09-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】B82B3/00; C01B31/02; C30B29/60; C30B30/02 【发明人】孟梦; 张佳璐; 郭奥; 刘佳; 傅云义; 黄如; 张兴 【主权项内容】一种碳纳米管或纳米线分叉结构的制备方法，其步骤包括：1)制备芯片，该芯片包括一对平行电极和平行电极之间的若干个浮点电极，平行电极的相对距离为1-10μm，浮点电极的相邻电极距离为200-500nm；2)将碳纳米管和/或半导体纳米线溶于有机溶剂中，并进行超声分散，制得碳纳米管和/或半导体纳米线的悬浮液；3)将芯片浸没于所述悬浮液中，在上述平行电极上施加交流电，电压VPP＝0.5-25V，频率为1-10MHZ；4)取出芯片，吹干，在浮点电极之间获得两根或多根碳纳米管和/或半导体纳米线的的分叉结构。 【当前权利人】北京大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区颐和园路5号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400002259P 【引证次数】5.0 【被引证次数】1 【他引次数】5.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】5
