【摘要】 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包含：半导体晶片，具有第一表面；导电电极，曝露于该第一表面；保护层，覆盖该半导体晶片，该保护层具有在该导电电极上的贯穿的保护层开口；重布线路层，在该保护层上，该重布线路层经由该保护层开口电连接该导电电极，该重布线路层具有铝层；镍/金层，在该重布线路层的该铝层的上表面；以及防焊层，在该保护层与该重布线路层上，曝露出该重布线路层的端子及其上方的该镍/金层。 【专利类型】发明授权 【申请人】精材科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾桃园县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810165777.8 【申请日】2008-09-23 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101582397B 【公开公告日】2010-12-29 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101582397B 【授权公告日】2010-12-29 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L23/48; H01L21/60 【发明人】蔡佳伦; 倪庆羽; 陈志杰; 钱文正 【主权项内容】一种半导体装置，包含：半导体晶片，具有第一表面；导电电极，曝露于该第一表面；保护层，覆盖该半导体晶片，该保护层具有在该导电电极上的贯穿的保护层开口；重布线路层，在该保护层上，该重布线路层经由该保护层开口电连接该导电电极，该重布线路层具有铝层；镍/金层，在该重布线路层的该铝层的上表面；防焊层，在该保护层与该重布线路层上，曝露出该重布线路层的端子及其上方的该镍/金层；以及嵌于该保护层中的金属层。 【当前权利人】精材科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾桃园县 【引证次数】3.0 【被引证次数】2 【他引次数】3.0 【被自引次数】2.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】24
