【摘要】 本发明提供一种驻极体振膜的制造方法，该制造方法包括下列步骤：首先，将电介质薄膜通过粘结材料贴附在框架上，并将固定件抓附在电介质薄膜上表面的边缘以及框架上；接着，对电介质薄膜进行金属溅射处理，以形成导电材料层；最后，对电介质薄膜进行极化处理，从而制成驻极体振膜。 ： 【专利类型】发明申请 【申请人】宏达国际电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾桃园市兴华路23号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810172354.9 【申请日】2008-10-31 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101729971A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H04R31/00 【发明人】李芳庆 【主权项内容】一种驻极体振膜的制造方法，该制造方法包括：提供框架，该框架具有上表面和下表面；在所述框架的上表面涂布粘结材料；将电介质薄膜贴附于所述框架的上表面的粘结材料上，其中所述电介质薄膜具有上表面和下表面；将固定件抓附在所述电介质薄膜上表面的边缘以及所述框架上；在所述电介质薄膜的上表面形成导电材料层；以及对所述电介质薄膜进行极化处理。 【当前权利人】宏达国际电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾桃园市兴华路23号 【引证次数】1.0 【被引证次数】5 【他引次数】1.0 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】5
