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一种MgSiCp复合材料的制备方法专利

发布时间:2026-06-16

【摘要】 本发明公开了属于材料制备技术领域的一种Mg/SiCp复合材料的制备方法。将高纯镁加热到720~740℃,成熔融状态,将SiCp颗粒加入到熔融状态的高纯镁熔体中,在SF6和CO2混合气体的保护下,保温并搅拌,使SiCp颗粒均匀分布在石墨坩埚内,搅拌均匀后,在镁熔体中自左向右施加电流,并自前向后施加一个外加磁场,镁熔体流到内附滑石粉涂层的铁质模具内,凝固成形,得到Mg/SiCp复合材料。利用本发明提供的方法可以成功制备出粒度分布均匀、组织致密的Mg/SiCp复合材料,制备方法简易可行。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京有色金属研究总院 【申请人类型】企业 【申请人地址】100088 北京市新街口外大街2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】西城区 【申请号】CN200810227288.0 【申请日】2008-11-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101736215A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101736215B 【授权公告日】2012-03-28 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】C22F3/02; B22D1/00; B22D27/00; C22F3/00 【发明人】邹宏辉; 马志新; 王志英; 郭胜利 【主权项内容】一种Mg/SiCp复合材料的制备方法,其特征在于,该方法采用以下步骤,(1)将高纯镁加热到720~740℃,成熔融状态,将粒度为15~20μm的SiCp颗粒加入到熔融状态的高纯镁熔体中;(2)在SF6和CO2混合气体的保护下,保温15~20min,并搅拌,使SiCp颗粒均匀分布在石墨坩埚内;(3)搅拌均匀后,在镁熔体中自左向右施加电流密度J为0.8~1.2×106A/m2电流,并自前向后施加一个磁感应强度B为0.028~0.032T的外加磁场,磁场作用时间为10~15min;(4)镁熔体流到内附滑石粉涂层的铁质模具内,凝固成形,得到Mg/SiCp复合材料。 【当前权利人】厦门火炬特种金属材料有限公司 【当前专利权人地址】福建省厦门市厦门火炬高新区同集园同源路327号、329号、331号 【被引证次数】4 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】4

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