【摘要】 一种适于CMOS集成的暂态存贮电路及其使用方法，涉及射频识别(Radio Frequency Identification，RFID)技术领域。本发明的一种暂态存贮电路由依次相连的访问控制电路、暂态存贮单元和输出灵敏放大器组成。标签芯片数字电路的复位信号PODR和输入数据信号D IN经访问控制电路写入暂态存贮单元，暂态存贮单元的暂存数据输出Vc经输出灵敏放大器放大后由数据线D_OUT输出。本发明能解决无源射频识别应用中由于标签芯片短时掉电造成识别效率下降的问题，降低了标签识别的时间成本，提高了无源射频标签的识别效率，具有经济、简便的特点。 数据由整理 【专利类型】发明申请 【申请人】北京同方微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100083 北京市海淀区同方科技广场A座2901 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810224195.2 【申请日】2008-10-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101727974A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101727974B 【授权公告日】2012-07-18 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】G11C14/00; G06K19/07 【发明人】马长明; 吴行军 【主权项内容】一种适于CMOS集成的暂态存贮电路，其特征在于，它由依次相连的访问控制电路、暂态存贮单元和输出灵敏放大器组成，标签芯片数字电路的复位信号PODR和输入数据信号D_IN经访问控制电路写入暂态存贮单元，暂态存贮单元的暂存数据输出Vc经输出灵敏放大器放大后由数据线D_OUT输出。 【当前权利人】北京同方微电子有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区同方科技广场A座2901 【专利权人类型】有限责任公司(法人独资) 【统一社会信用代码】911100007334588792 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】2
