【摘要】 本发明涉及一种微带谐振器,该微带谐振器为一条由上、下两层金属或 者超导薄膜和位于两层金属或者超导薄膜之间的人造单晶介质组成的谐振 器,所述谐振器为双梳形谐振器,该双梳形谐振器两端为插指结构,并且插 指相互插入。本发明提供的微带谐振器的优点是可以提供强耦合和抑制倍频 通带。。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院物理研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100080北京市海淀区中关村南三街8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810116654.5 【申请日】2008-07-14 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101630770A 【公开公告日】2010-01-20 【公开公告年份】2010 【发明人】于涛; 李春光; 张强; 孙亮; 李翡; 王跃辉; 高路; 郭进; 边勇波; 王佳; 崔彬; 黎红; 张雪强; 罗强; 顾长志; 何豫生 【主权项内容】1.一种微带谐振器,该微带谐振器为一条由上、下两层金属或者超导薄 膜和位于两层金属或者超导薄膜之间的人造单晶介质组成的谐振器,其特征 在于,所述谐振器为双梳形谐振器,该双梳形谐振器两端为插指结构,并且 插指相互插入。 【当前权利人】中国科学院物理研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区中关村南三街8号 【统一社会信用代码】12100000400012174C 【被引证次数】3 【家族被引证次数】3