【摘要】 本发明公开了一种氧化铪掺杂氧化铈栅电介质材料及其制备方法，本发明 主要采用传统的陶瓷烧结技术将10～20％摩尔的氧化铪掺杂到氧化铈中，在 1400℃下高温烧结，得到相应的氧化铪掺杂氧化铈陶瓷靶材，随后采用激光脉 冲沉积技术，在经过标准RCA清洗过程后的n型Si片上沉积氧化铈掺杂氧化铪 薄膜。本发明制备的氧化铈掺杂氧化铪介电陶瓷薄膜为单晶薄膜，与衬底材料 的取向关系为(111)HDC//(001)Si和[110]HDC//[110]Si；并且具有非常小的漏电流密 度，适于做高κ栅介质使用。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京有色金属研究总院 【申请人类型】企业 【申请人地址】100088北京市西城区新街口外大街2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】西城区 【申请号】CN200810104411.X 【申请日】2008-04-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100590101C 【公开公告日】2010-02-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100590101C 【授权公告日】2010-02-17 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C04B41/50; C23C14/34 【发明人】杜军; 王毅; 杨志民; 毛昌辉 【主权项内容】1、一种氧化铪掺杂氧化铈栅电介质材料，其特征在于在单晶n型Si片上 沉积氧化铪掺杂氧化铈单晶薄膜，所述的氧化铪掺杂氧化铈是指在氧化铈中掺 杂有10～20％摩尔比的氧化铪。 【当前权利人】有研工程技术研究院有限公司 【当前专利权人地址】北京市怀柔区雁栖经济开发区兴科东大街11号 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】11
