【摘要】 本发明是有关于一种沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作 方法。该方法包括以下步骤：制作第一导电型外延层于硅基板上；制作多数 个沟槽于外延层；全面离子注入第一导电型的掺杂物于外延层；制作多晶硅 图案层覆盖沟槽与其周围预设范围的外延层；通过多晶硅图案层，注入第二 导电型的掺杂物于外延层；导入掺杂物，形成具有第二导电型的井区；通 过多晶硅图案层，注入第一导电型的掺杂物于井区，形成多数个第一掺杂 区；导入第一掺杂区的掺杂物，形成一源极掺杂区紧邻沟槽；去除位于外延 层上方的多晶硅图案层，形成多晶硅栅极。本发明可改善沟槽栅金属氧化 物半导体场效应晶体管的井区的深度分布，避免井区覆盖栅极沟槽的底部 而导致晶体管失效。 【专利类型】发明申请 【申请人】尼克森微电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台北县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810135505.3 【申请日】2008-08-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101656213A 【公开公告日】2010-02-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101656213B 【授权公告日】2012-09-26 【授权公告年份】2012.0 【发明人】涂高维; 董正晖; 蔡筱薇 【主权项内容】1、一种沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管的制作方法，其特征在 于其包括以下步骤： 制作一第一导电型的外延层于一硅基板上； 制作多数个第一沟槽于该外延层； 全面离子注入第一导电型的掺杂物于该外延层内； 通过一多晶硅层光掩膜，以微影蚀刻方式制作一多晶硅图案层覆盖该 第一沟槽与其周围一预设范围的该外延层； 通过该多晶硅图案层，以离子注入方式注入第二导电型的掺杂物于该 外延层内； 导入该外延层内的该些掺杂物，以形成一具有该第二导电型的井区； 通过该多晶硅图案层，以离子注入方式注入该第一导电型的掺杂物于 该井区内，以形成多数个第一掺杂区； 导入该第一掺杂区内的掺杂物，以形成一源极掺杂区紧邻于该第一沟 槽； 去除位于该外延层上方的该多晶硅图案层，以形成该多晶硅栅极； 全面沉积一介电层，并于该介电层中制作一接触窗，曝露部份该源极掺 杂区；以及 沉积一金属层于该介电层上，并覆盖该源极掺杂区。 【当前权利人】尼克森微电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北县 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
