【摘要】 本发明提供一种半穿透半反射式液晶显示面板及其制作方法，该显示面板包括基板、第一多晶硅图案设于像素的反射区、第二多晶硅图案设于像素的周边区、绝缘层设置于第一多晶硅图案、第二多晶硅图案与基板上、栅极设于像素的反射区的绝缘层上、共通电极设于像素的周边区的绝缘层上、第一层间介电层设于绝缘层、栅极与共通电极上、反射电极设于第一层间介电层上、第二层间介电层设于第一层间介电层与反射电极上，以及穿透电极设置第二层间介电层上并透过第二层间介电层的开口与反射电极电性连接。第二多晶硅图案、共通电极及其间的绝缘层构成储存电容。反射电极设于薄膜晶体管的上方，可增加反射区的面积。储存电容设于数据线的下方，可提升开口率。 【专利类型】发明授权 【申请人】友达光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810109362.9 【申请日】2008-06-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101295095B 【公开公告日】2010-07-28 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101295095B 【授权公告日】2010-07-28 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G02F1/1335; G02F1/1362; H01L27/12; H01L21/84 【发明人】陈昱丞; 杨敦钧 【主权项内容】一种半穿透半反射式液晶显示面板，其特征在于，所述半穿透半反射式液晶显示面板包括：一基板，包括一反射区、一穿透区与一周边区；一多晶硅层，设置于所述基板上，所述多晶硅层包括一第一多晶硅图案设置于所述反射区，以及一第二多晶硅图案设置于所述周边区，其中所述第一多晶硅图案包括一通道，以及一源极与一漏极位于所述通道的两侧；一绝缘层，设置于所述多晶硅层与所述基板上；一第一层金属，设置于所述绝缘层上，所述第一层金属包括一栅极对应所述通道，以及一共通电极对应所述第二多晶硅图案，其中所述第二多晶硅图案、所述共通电极及其间的所述绝缘层构成一储存电容，所述通道、所述源极、所述漏极、所述绝缘层与所述栅极构成一薄膜晶体管，栅极的尺寸略小于通道；一第一层间介电层，设置于所述绝缘层与所述第一层金属上，所述第一层间介电层具有两开口，分别曝露出所述源极与所述漏极，所述第一层间介电层包括一无机介电层与一感光有机介电层；一第二层金属，设置于所述第一层间介电层上，所述第二层金属包括一设置于所述薄膜晶体管上方的反射电极与一数据线，其中所述反射电极设置于所述反射区并透过所述第一层间介电层对应所述漏极的所述开口与所述漏极电性连接，所述数据线设置于所述周边区并延伸至所述反射区，且所述数据线于所述反射区透过所述第一层间介电层对应所述源极的所述开口与所述源极电性连接，所述储存电容设置于所述数据线的下方；一第二层间介电层，设置于所述第一层间介电层与所述第二层金属上，所述第二层间介电层具有一开口曝露出部分所述第二层金属；以及一穿透电极，设置于所述第二层间介电层上，所述穿透电极设置于所述穿透区并延伸至所述反射区与所述穿透区的交界处，且所述穿透电极透过所述第二层间介电层的所述开口与所述反射电极及所述漏极电性连接，所述穿透电极与所述数据线大体上切齐且未重叠。 【当前权利人】友达光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【引证次数】4.0 【自引次数】1.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】8
