【摘要】 本发明公开了一种硅片加工工艺，它包括以下的步骤：(1)将倒 角后的硅片用双面磨削机进行双面磨削；(2)用HF溶液和选自H2O2、 O3中的一种组成混合溶液去除硅表面的微观凸起部分；(3)将硅片 进行常规酸腐蚀；(4)将酸腐蚀片进行常规双面抛光；将硅片进行单 面精抛和清洗。本发明的优点是：可以获得高平整度的硅片，同时可 以降低整个制造过程的去除量，减少大约20微米去除量，相当于减 少单面抛光的去除。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京有色金属研究总院; 有研半导体材料股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100088北京市新街口外大街2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】西城区 【申请号】CN200810118667.6 【申请日】2008-08-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101656193A 【公开公告日】2010-02-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101656193B 【授权公告日】2011-09-28 【授权公告年份】2011.0 【发明人】库黎明; 闫志瑞; 索思卓; 黄军辉; 葛钟; 陈海滨; 张国栋; 盛方毓 【主权项内容】1.一种硅片加工工艺，它包括以下的步骤： (1)将倒角后的硅片用双面磨削机进行双面磨削； (2)用HF溶液和选自H2O2、O3中的一种组成混合溶液去除硅 表面的微观凸起部分； (3)将硅片进行常规酸腐蚀； (4)将酸腐蚀片进行常规双面抛光； (5)将硅片进行单面精抛和清洗。 【当前权利人】有研半导体硅材料股份公司 【当前专利权人地址】北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧 【专利权人类型】股份有限公司 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
