【摘要】 本发明涉及一种薄膜晶体管的制备方法，其包括以下步骤：制备一碳纳米管原料；将上述碳纳米管原料添加到溶剂中并进行絮化处理获得一碳纳米管絮状结构；将上述碳纳米管絮状结构从溶剂中分离，并对该碳纳米管絮状结构定型处理获得一碳纳米管薄膜；铺设上述碳纳米管薄膜于一绝缘基底表面，形成一碳纳米管层；间隔形成一源极及一漏极，并使该源极及漏极与上述碳纳米管层电连接；形成一绝缘层于上述碳纳米管层表面；以及形成一栅极于上述绝缘层表面，得到一薄膜晶体管。 【专利类型】发明授权 【申请人】清华大学; 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 【申请人类型】企业,学校 【申请人地址】100084 北京市海淀区清华园1号清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810067565.6 【申请日】2008-05-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101593699B 【公开公告日】2010-11-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101593699B 【授权公告日】2010-11-10 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/336 【发明人】刘长洪; 姜开利; 李群庆; 范守善 【主权项内容】一种薄膜晶体管的制备方法，其包括以下步骤：制备一碳纳米管原料；将上述碳纳米管原料添加到溶剂中并进行絮化处理获得一碳纳米管絮状结构；将上述碳纳米管絮状结构从溶剂中分离，并对该碳纳米管絮状结构定型处理获得一碳纳米管薄膜；铺设上述碳纳米管薄膜于一绝缘基底表面，形成一碳纳米管层；间隔形成一源极及一漏极，并使该源极及漏极与上述碳纳米管层电连接；形成一绝缘层于上述碳纳米管层表面；以及形成一栅极于上述绝缘层表面，得到一薄膜晶体管。 【当前权利人】清华大学; 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华园1号清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室; 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 【专利权人类型】公立; 有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】12100000400000624D; 914403007084307436 【引证次数】4.0 【自引次数】1.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】71.0 【家族被引证次数】27
