【摘要】 本发明公开了一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法，包括： 选用PSOI外延片，并对该SOI外延片进行第一次Trench腐蚀；进 行第二次Trench腐蚀形成源引出端和体引出端的隔离，在沟槽下方与BOX 层之间留出空间，为侧向体接触保留体引出通道；全部剥离SiN，生长SiO2 掩蔽膜，刻蚀该SiO2掩蔽膜，形成两个局部埋氧层的注入窗口；进行局部 埋氧层注入，形成源漏下方局部埋氧层；光刻形成有源区，两次调栅注入 后通过牺牲氧化控制硅膜厚度，生长栅氧，淀积多晶硅，光刻多晶硅栅， LDD注入，侧墙隔离，源漏端注入形成漏端和源端，体引出端注入，源漏 金属硅化物，淀积PMD和平坦化；光刻与刻蚀接触孔，淀积金属层，形 成压焊点层，合金，并进行背面处理。 -官网 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810116043.0 【申请日】2008-07-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101621009A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101621009B 【授权公告日】2012-03-21 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/336; H01L21/84 【发明人】宋文斌; 毕津顺; 韩郑生 【主权项内容】1、一种制作部分耗尽绝缘体上硅SOI器件体接触结构的方法，其特 征在于，该方法包括： 步骤1、选用P< 100> SOI外延片，并对该SOI外延片进行第一次Trench 腐蚀； 步骤2、对该SOI外延片进行第二次Trench腐蚀，形成源引出端和体 引出端的隔离，在沟槽下方与BOX层之间留出空间，为侧向体接触保留 体引出通道； 步骤3、全部剥离SiN，生长SiO2掩蔽膜，刻蚀该SiO2掩蔽膜，形成 两个局部埋氧层的注入窗口，两个窗口之间的距离等于栅长； 步骤4、采用局部SIMOX技术进行局部埋氧层注入，形成源漏下方 局部埋氧层，局部埋氧层距硅表面深度就是最终源漏结的深度，埋氧层下 方的硅膜为体引出通道； 步骤5、光刻形成有源区，两次调栅注入后通过牺牲氧化控制硅膜厚 度，生长栅氧，淀积多晶硅，光刻多晶硅栅，LDD注入，侧墙隔离，源漏 端注入形成漏端和源端，体引出端注入，源漏金属硅化物，淀积PMD和 平坦化；光刻与刻蚀接触孔，淀积金属层，形成压焊点层，合金，并进行 背面处理。 【当前权利人】北京中科新微特科技开发股份有限公司 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北土城西路3号微电子研究所综合楼5层513室 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【被引证次数】11 【被自引次数】2.0 【被他引次数】9.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】11
